1 CMOS Sensor 原理

1.1 简介

CMOS 是英文Complementary Metal Oxide Semicondutor 的缩写，这是一种主流的半导体工艺，具有功耗低、速度快的优点，被广泛地用于制造CPU、存储器和各种数字逻辑芯片。基于CMOS 工艺设计的图像传感器叫做CMOS Image Sensor (CIS)，与通用的半导体工艺尤其是存储器工艺相似度达到90%以上。

CMOS技术的主要特点是成对地使用PMOS和NMOS两种晶体管，PMOS负责拉高，NMOS负责拉低，两者配合可以实现数字信号的快速切换，这就是Complementary的具体含义。下图以最基本的反相器为例说明了CMOS技术的基本原理。


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CMOS 技术基础 - 反相器


传统的 CMOS 数字电路使用'0'和'1'两种逻辑电压控制晶体管的Gate从而控制晶体管的电流流动，CMOS sensor 则是让光子直接进入晶体管内部生成电流，光信号的强弱直接决定了电流的大小。这是CMOS sensor与CMOS 数字逻辑的主要区别之处。

CMOS sensor 通常由像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成。这几部分功能通常都被集成在同一块硅片上，其工作过程一般可分为复位、光电转换、积分、读出几部分，如下所示。


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英文中的camera 实际上包含了两类产品，一种是以拍摄静态图片为主的digital still camera，中文叫做相机，比如各种单反相机和微单类产品。


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